柴氏拉晶法(Czochralski method) 簡稱CZ法。從熔體中提拉生長晶體的方法為Czochralski于1918年，自1964年P(guān)oladino和Rotter首先應(yīng)用到藍(lán)寶石單晶的生長中，成功生長出質(zhì)量較高的藍(lán)寶石晶體，晶體生長示意圖如圖11所示。先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔溫度差而形成過冷。于是熔湯開始在晶種表面凝固并生長和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶。晶種同時以極緩慢的速度往上拉升，并伴隨以一定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，隨著晶種的向上拉升，熔湯逐漸凝固于晶種的液固界面上，進(jìn)而形成一軸對稱的單晶晶棒。每個部份都有其用意，生長晶頸主要是用來消除差排。因為長晶過程復(fù)雜，差排產(chǎn)生量不易支配，所以大部分的晶體生長過程，都以消除差排為主要選擇。長完晶頸后，需放慢拉升速度，使晶體直徑增大到所需的尺寸，此步驟為晶冠生長。當(dāng)晶體直徑增大到所需尺寸時，就以等速的速度來拉升，此部分的晶體直徑是固定的，也就是晶身部分。此部分就是要作為工業(yè)用基板材料的部份，所以生長時，需格外小心。當(dāng)晶身長完時，就要使晶棒離開熔湯，此時拉升的速度會變快，使晶棒的直徑縮小，直到變成點(diǎn)狀時，再從熔湯中分開。此步驟為晶尾生長，其目的是要避免晶棒與熔湯快速分離時，所產(chǎn)生的熱應(yīng)力，若在分離時產(chǎn)生熱應(yīng)力，此熱應(yīng)力將使晶棒產(chǎn)生差排及滑移線等問題。在現(xiàn)在的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，CZ法是常見到的晶體生長法，由于能生長出較大直徑之晶體，所以大約85％的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都使用CZ法來生長單晶棒。
該方法主要特點(diǎn)：
1)在晶體生長過程中，可以方便的觀察晶體的生長情況；
2) 晶體在自由液面生長，不受坩堝的強(qiáng)制作用，可降低晶體的應(yīng)力；
3) 可以方便的使用所需取向籽晶和“縮頸”工藝，有助于以比較快的速率生長較高質(zhì)量的晶體，晶體完整性較好；
4) 晶體、坩堝轉(zhuǎn)動引起的強(qiáng)制對流和重力作用引起的自然對流相互作用，使復(fù)雜液流作用不可克服，易產(chǎn)生晶體問題；
5) 機(jī)械擾動在生長大直徑晶體時容易使晶體產(chǎn)生問題。
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